PTC发热片绕结工艺说明
　

  烧成工艺主要使多孔的生坯成瓷，须达到下列目条件：
  （1）使陶瓷弃分半导化，因此必须确定最佳烧成温度及升降温速率：
  （2）晶粒均匀生长，形成均匀显微结构，防止晶粒异常生长，这主要决定于升温阶段的温度及升速：
  （3）晶界弃分氧化，形成优良的PTC性能，这决定于冷却条件。
  烧成用的电炉及窑具供给陶瓷生坯以均匀的热量。陶瓷生坯本身接受热量后在升温过程中产生膨胀，然后由于致密化产生收缩，同时发生化学反应和晶粒生长，形成显微结构。而降温过程中发生晶界区的氧扩散及晶粒偏析。均匀的显微结构及充分的氧化扩散，是形成优质PTC陶瓷所必需的。
  烧成用的电炉及窑具供给陶瓷生坯以均匀的热量。陶瓷生坯本身接受热量后在升温过程中产生膨胀，然后由于致密化产生收缩，同时发生化学反应和晶粒生长，形成显微结构。而降温过程中发生晶界区的氧扩散及晶粒偏析。均匀的显微结构及充分的氧化扩散，是形成优质PTC陶瓷所必需的。
  对于高TC（TC）>170℃)的PTC陶瓷，通常采用在密封条件下烧成，以防止铅挥发而失铅（即将坩锅中及盖板磨平使其密合）。烧成用刚玉坩埚（99%AI2O3）不宜过大、过高。如果坩埚过高，由于铅气氛的沉积，使上下层片的性能差别增大，从而使符合一定阻值的合格率下降；如果坩埚过大，则因急冷造成坩埚碎裂的几率也增大，，增加了窑具的损耗。生坯在升温过程中产生膨胀，故生坯装坩埚时应酌留空隙，但不装片的空间应愈小愈好。干压成型排烧成后的压制片，应用ZrO2粒子（最好用电熔ZrO2粒子）隔开，堆放在垫板上进行密封烧成。对于低TcPTC陶瓷片生坯可以敞开烧成。每批新，均应先在小炉内试烧几个温度。然后选择一最佳烧成温度。由于窑中装压制片的数量多少，会影响PTC陶瓷的性质，因此如果装窑不满，应装假片以填充空间。圆片常装在V形槽内进行烧成。PTC陶瓷烧成要求有一定的升降温程序。最近发展的钟罩窑，采用高级耐火纤维毯为窑壁，热容量低，升降速率快而不开裂，保温性能良好且节能，容易满足PTC陶瓷烧成要求。用隧道窑烧成PTC陶瓷时，窑必须分段加热（6-8段），每段应用通气调节，不同温区间的过渡区应有凸干墙，以阻止温区间气流相互串流，从而影响各区的保温。在降温段最好有空冷装置，以控制降温速率。用间歇炉烧成PTC陶瓷时，在使用前应用测温片测定炉温分布，以了解可装窑位，从而提高烧成的成品率。每次烧成最好有测温片陪烧，以分析PTC瓷片烧成好坏的原因。